Мемристор

Мемристор
концептуална схема
Видпасивен
ИзобретенЛеон Чуа (Leon Chua), 1971 г.
Символично означение
Мемристор в Общомедия

Мемристор (на английски: memristor) е електронен пасивен елемент, като названието му идва от комбинирането на „memory“-памет и „resistor“ – резистор). Неговото основно свойство е да изменя съпротивлението си в зависимост от протичащия през него електричен заряд. Тази зависимост е нелинейна и се проявява най-силно в наномащаби. Може да бъде разглеждан и като четвърти клас електронна схема сред основните пасивни елементи: резистор, кондензатор и индуктивен елемент.

История

Изследванията за създаване на елементи с подобно действие датират още от законите на Фарадей 1808.

Елементът е изобретен през 1971 от Леон Чуа (Leon Chua))[1]. В самото начало е използван само в няколко примерни схеми. По-късно елементът се използва в специални схеми, като чрез него се реализират различни комбинации между съпротивление, електрическо напрежение и електричен заряд.

През 2008 г. американската компания Hewlett-Packard създава лабораторен образец. Според заявления на фирмите Hynix и Hewlett-Packard, технологията вече е готова за производство на мемристори. Отначало се съобщава, че памети на базата на мемристори ще се появят през 2013 г.[2], но по-късно пускането им е отложено за 2014 г.[3][4]

Теория

Дефиниран е като нелинеен елемент и се определя връзката между магнитния поток и електричния заряд. Измервателните единици на елемента са мемристенз и се измерва (Wb/C, (вебер за кулон) или ом) с диференциално уравнение M = dΦm / dq. Принципната волт-амперна характеристика на елемента е деформиран хистерезис.

Принципна волт-амперна характеристика

Видове мемристори

Молекулярна и йонна мемристорна система

  • мемристори от титанов диоксид
  • Полимерни мемристори
  • Манганатни мемристорни системи
  • Резонансно-тунелни мемристори
  • Силициево-оксидни мемристори

Спин базиран и магнитна мемристорна система

  • Спинтроник мемристори

Терминални мемристори

Този раздел е празен или е мъниче. Можете да помогнете на Уикипедия, като го разширите.

Приложение

Елементът може да се използва като материал за изработване на носители на информация (електрически сигнали) или компютърна памет.

Учените Massimiliano Di Ventra (Масимилияно Ди Вентра), Pershin(Першин) и Chua (Чуа) разработват елементите Мемкондензатор и Меминдуктор въз основа на мемристорната система.

Вижте също

Общомедия
Общомедия разполага с мултимедийно съдържание за
Мемристор.

Източници

  1. ↑ Chua, Leon O, "Memristor—The Missing Circuit Element", IEEE Transactions on Circuit Theory. 18.5 (1971): 507 – 519.
  2. ↑ HP, Hynix to launch memristor memory 2013 // EETimes, Peter Clarke, 2011-10-06
  3. ↑ Разработка мемристоров завершена, но HP и Hynix не хотят подрывать рынок флэш-памяти Архив на оригинала от 2017-05-18 в Wayback Machine. // IXBT, 28 септември 2012
  4. ↑ Memristors' one-year delay will hit IT in the wallet // ZDNet, 10 юли 2012

Външни препратки