90 nanòmetres
Fig.1 Exemple de tecnologia de 90 nm : Intel Celeron D
90 nanòmetres (90 nm ) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 90 nm . És una millora de la tecnologia de 65 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de
90
≃
130
2
{\displaystyle 90\simeq {\frac {130}{\sqrt {2}
. Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 165 àtoms de llargada.[1] [2] [3]
Tecnologia emprada
Tecnologia de tensió de porta de 1,8V.[4]
Tecnologia de litografia millorada.
Processadors
Fabricant
Data
CPU
Notes
IBM
2004
PowerPC G5, Cell
Intel
2004
Pentium 4, D, M, Xeon
AMD
2004
Athlon 64, Sempron, Turion, OPteron
Fabricant
Intel
TSMC
Samsung
Fujitsu
IBM / Toshiba / Sony / AMD / Chartered
Motorola
TI
Nom del procés
P1262
CS-100 / CS-101
HiPerMOS 8
Primera producció
2002
2003
2003
2004
2003
2004
2005
Tipus
Bulk
PDSOI
Bulk
Oblia
300mm
Capes de Metal
7
10
9
Valor
130 nm Δ
Valor
130 nm Δ
Valor
130 nm Δ
Valor
130 nm Δ
Valor
130 nm Δ
Valor
130 nm Δ
Valor
130 nm Δ
Pas de contacte de porta
260 nm
0.82x
240 nm
0,77x
245 nm
0,70x
? nm
?x
? nm
?x
? nm
?x
? nm
?x
Pas de connexió
220 nm
0.63x
240 nm
0,71x
245 nm
0,70x
? nm
?x
? nm
?x
? nm
?x
? nm
?x
Cel·lula 1 bit de RAM
1,0 µm²
0.50x
0,999 µm²
0,47x
0,999 µm²
?x
1,07 µm²
0,54x
0,999 µm²
?x
? µm²
?x
? µm²
?x
Cel·lula 1 bit de DRAM
0,275 µm²
0,19 µm²
?x
Vegeu també
Referències
The article is a derivative under the Creative Commons Attribution-ShareAlike License .
A link to the original article can be found here and attribution parties here
By using this site, you agree to the Terms of Use . Gpedia ® is a registered trademark of the Cyberajah Pty Ltd