전자빔 리소그래피

전자빔 리소그래피 셋업의 예

전자빔 리소그래피(Electron-beam lithography, e-빔 리소그래피, EBL로 약칭)는 집중된 전자 빔을 스캐닝하여 레지스트(노출)라고 하는 전자 감응 필름으로 덮인 표면에 맞춤형 모양을 그리는 방법이다.[1] 전자빔은 레지스트의 용해도를 변화시켜 레지스트를 용매에 담그어 레지스트의 노출 또는 비노출 영역을 선택적으로 제거할 수 있다. 포토리소그래피와 마찬가지로 목적은 종종 에칭을 통해 기판 재료로 전사될 수 있는 레지스트에 매우 작은 구조를 만드는 것이다.

전자빔 리소그래피의 주요 장점은 10nm 미만의 해상도로 맞춤형 패턴(직접 기록)을 그릴 수 있다는 것이다. 이러한 형태의 마스크 없는 리소그래피는 해상도는 높지만 처리량이 낮기 때문에 포토마스크 제조, 반도체 소자의 소량 생산, 연구개발에만 사용이 제한된다.

각주

  1. ↑ McCord, M A.; Rooks, M.J. (2000). 〈2. Electron beam lithography〉. 《Microlithography》. SPIE Handbook of Microlithography, Micromachining and Microfabrication 1. 2019년 8월 19일에 원본 문서에서 보존된 문서. 2007년 1월 4일에 확인함. 

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