Лео Есакі

Нобелівська премія з фізики (1973) Лео Есакі
яп. 江 崎 玲 于 奈
Народився 12 березня 1925(1925-03-12) (99 років)
Осака, Японська Імперія
Місце проживання Японія
Країна Японія Японія
Діяльність фізик
Alma mater Токійський університет
Галузь фізика
Заклад Кіотський університет
Shibaura Institute of Technologyd
Цукубський університет
Yokohama College of Pharmacyd
Університет Квансей Ґакуінd
Q11479168?
Sony
IBM Thomas J. Watson Research Centerd
Членство Національна академія наук США[1]
Академія наук Японії
Американська академія мистецтв і наук
Російська академія наук
Американське філософське товариство[1]
Національна академія наук Італіїd
Нагороди

CMNS: Лео Есакі у Вікісховищі

Ле́о Еса́кі (яп. 江 崎 玲 于 奈, Есакі Реона, відомий також як Рео́на Еса́кі та Лео́на Еса́кі; нар. 12 березня 1925, Осака, Японія) — японський фізик, лауреат Нобелівської премії з фізики в 1973 р.

Творча біографія

Половина премії, спільно з Айвором Джайевером, «за експериментальні відкриття тунельних явищ в напівпровідниках і надпровідниках». Друга половина присуджена Б. Д. Джозефсона «за теоретичне передбачення властивостей струму, що проходить через тунельний бар'єр, зокрема явищ, загальновідомих нині під назвою ефектів Джозефсона». Лео Есакі також відомий як винахідник діода Есакі, що використовує ефект тунелювання електрона.

Лео Есакі вивчав фізику в Токійському університеті, отримав ступінь бакалавра в 1947 р. , ступінь доктора філософії в 1959 р. Нобелівську премію отримав за дослідження, проведені в 1958 р. під час роботи в компанії Sony. Згодом у 1960 р. переїхав в США і став працювати в дослідницькому центрі фірми IBM, де був удостоєний звання лауреата IBM в 1967 р.

Нагороди

Див. також

  • 6920 Есакі — астероїд, названий на честь науковця.

Примітки

  1. а б NNDB — 2002.

Посилання